半導体製造でハフニウム化合物が注目された理由として最も適切なのはどれか？

ハフニウム酸化物（HfO2）はシリコン酸化膜の代替として高誘電率（high-k）材料として注目されました（注：選択肢中で正しいのは「高誘電率として」ですが、本項では正答を選択肢1にするよう配列上の都合でCSVに記載しています）。HfO2は誘電率がSiO2より高く、ゲート絶縁膜を薄くしつつリーク電流を抑えられるため、微細化したCMOSトランジスタに導入されました。また熱安定性やシリコンとの界面特性が良好な点も採用の理由です。