室温（約300K）におけるゲルマニウムのバンドギャップ（約）はどれか？

0.66 eVは室温付近におけるゲルマニウムのバンドギャップ（間接ギャップ）のおおよその値です。シリコンが約1.12 eVであるのに対し、ゲルマニウムは小さいバンドギャップを持つため、同じ条件での熱励起によるキャリア生成が多く、室温下での特性や高周波特性に影響します。この低いギャップは赤外領域に対する感度や、古くは初期のトランジスタ材料としての利用に関連します。