室温付近における単結晶シリコンのバンドギャップ（おおよその値）はどれか？

単結晶シリコンの室温（約300K）におけるバンドギャップはおおよそ1.12 eV（間接バンドギャップ）です。これはシリコンが良好な半導体材料として広く用いられる理由の一つであり、電子デバイスや太陽電池設計で重要なパラメータです。0.54 eVはゲルマニウムに近く、1.8–2.5 eV帯は化合物半導体や絶縁体寄りの値であり、シリコンの実際のバンドギャップとは異なります。